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立命館大学　研究者学術情報データベース English>> TOPページ TOPページ > 毛利　真一郎 （最終更新日 : 2024-03-01 00:01:04） モウリ　シンイチロウ 毛利　真一郎 MOURI SHINICHIRO 所属 理工学部 電気電子工学科 職名 准教授 業績 その他所属 プロフィール 学歴 職歴 委員会・協会等 所属学会 資格・免許 研究テーマ 研究概要 研究概要（関連画像） 現在の専門分野 研究 著書 論文 その他 学会発表 その他研究活動 講師・講演 受賞学術賞 科学研究費助成事業 競争的資金等(科研費を除く) 共同・受託研究実績 取得特許 研究高度化推進制度 教育 授業科目 教育活動 社会活動 社会における活動 研究交流希望テーマ その他 研究者からのメッセージ ホームページ メールアドレス 科研費研究者番号 researchmap研究者コード 外部研究者ID その他所属 1. 理工学部 電気電子工学科   2. 理工学研究科   学歴 1. 2009/03(学位取得) 京都大学 理学博士 2. ～2002/03 京都大学 理学部 理学科 卒業 3. ～2004/03 京都大学 理学研究科 物理学・宇宙物理学専攻 修士課程 修了 4. ～2008/03 京都大学 理学研究科 物理学・宇宙物理学専攻 博士課程 単位取得満期退学 職歴 1. 2016/04/01 ～ 2021/03/31 立命館大学 理工学部 助教 2. 2011/04/01 ～ 2016/03/31 京都大学 エネルギー理工学研究所 研究員 3. 2009/03/01 ～ 2011/03/31 千葉大学 先進科学センター 特任助教(2009年3月31日までは特任研究員) 4. 2008/04/01 ～ 2009/02/28 京都大学 物質細胞統合拠点研究員 委員会・協会等 1. 2019/03 ～ 2021/02 電子材料シンポジウム 電子材料シンポジウム 実行委員会 会場委員 2. 2018/04 ～ 2019/03 日本物理学会 領域７運営委員 3. 2017/03/18 ～ 2018/09/18 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会若手研究会幹事 幹事 所属学会 1. フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会 2. 応用物理学会 3. 日本結晶成長学会 4. 日本物理学会 資格・免許 1. 2013 普通免許 2. 2008 特定化学物質作業主任者 研究テーマ 1. ファンデルワールスエピタキシーによる新規半導体材料の開拓 2. ファンデルワールスヘテロ構造の光・電子物性とそのデバイス応用 研究概要 原子層スケールのナノ構造における光・電子物性開拓とそのデバイス応用 私は、原子層スケールのナノ構造における光・電子物性を解明し、そのデバイス応用を目指して研究を進めています。様々な物質を原子層スケールの厚みまで薄くすると、バルク材料にはない性質が現れることが知られています。最もよく知られている例がグラフェンです。炭素原子１層で構成されるグラフェンは、ディラク型と呼ばれる特殊なバンド構造を持ち、非常に高い移動度を示します。グラフェン以外にも2硫化モリブデンをはじめとする様々な層状物質を原子（分子）1層まで薄くできることがわかってきており、様々なデバイスへの応用が期待されています。私は、原子層材料同士の積層や、他の材料との融合により新たな機能を創発し、今までにないデバイスの創生を目指しています。 現在進めている研究テーマは以下の通りです。 テーマ1：ファンデルワールスエピタキシーによる新規半導体構造の創製 　窒化ガリウムや窒化インジウムに代表される窒化物半導体は、発光ダイオード材料として既に実用化されているのに加え、パワー半導体やタンデム型太陽電池、高周波デバイスなど、さまざまな次世代デバイスへの応用が検討されているユーティリティーの高い材料です。発光デバイスや受光デバイスの広帯域化・高輝度化に向けて、さまざまな組成の混晶を自在に作る技術の開発も必要ですが、基板の制約があり思うように研究が進んでいない状況です。また、低コスト化も大きな課題となっており、再利用可能な成長基板が求められています。 　我々が注目しているファンデルワールスエピタキシーは、グラフェンなどダングリングボンドのない原子層材料をバッファー層とした結晶成長であり、上記課題を克服する有力手法と考えられています。ファンデルワールス力を駆動力とする結晶成長のメカニズムを解明し、その制御へ向けた研究を進めています。また、基板ポテンシャルや原子層材料のモアレポテンシャルを援用した結晶成長が可能かどうかを検証する試みも行っております。 テーマ2：原子層ヘテロ構造の光・電子物性とそのデバイス応用 　異種の原子層材料を積層したヘテロ構造や原子層材料と化合物半導体の積層ヘテロ構造の光物性や電子物性を調べ、デバイス応用を。原子層間の相互作用メカニズムを解明し、高効率電荷分離を利用したエネルギー変換や、励起子と呼ばれる束縛状態を用いた量子情報デバイスへの応用を目指しています。また、原子層材料と窒化物半導体など他の半導体材料とのヘテロ構造についても研究も進めています。原子層材料の光電変換能や熱電変換能・伝導特性・光学特性を既存の半導体材料の特性と組み合わせることで新しい光電子デバイスの創製を目指します。最近では、原子層材料のドーピング制御へ向けた新しい研究も進めております。 研究概要（関連画像） --> 現在の専門分野 ナノ構造物理, ナノ材料工学, 薄膜・表面界面物性, 光工学・光量子科学, 物性Ⅰ, 電子・電気材料工学, 結晶工学, ナノ材料科学 (キーワード：原子層材料、光物性、ナノ分光、カーボンナノチューブ、グラフェン、太陽電池、遷移金属ダイカルコゲナイド、光デバイス、光誘起相転移) 著書 1. 2022/02/28 ラマン分光スペクトルデータ解析事例集 7章8節 ラマン分光を用いた架橋ツイスト2層グラフェンの熱伝導計測 │ (共著)   2. 2016/07 カルコゲナイド系層状物質の最新研究　第3編第4章 光電変換材料としての遷移金属ダイカルコゲナイド │ ,228-236 (共著)   論文 1. 2024/01/09 Selective Isolation of Mono- to Quadlayered 2D Materials via Sonication-Assisted Micromechanical Exfoliation │ ACS Nano │ 18 (3),2455-2463頁 (共著)   2. 2024/01/04 Emerging II-VI wide bandgap semiconductor device technologies │ Physica Scripta │ 99 (2),022001 (共著)   3. 2023/10/01 分子線エピタキシ法を用いた窒化物半導体結晶成長の最前線 │ 応用物理 │ 92 (10),622-66頁 (共著)   4. 2023/05/16 Control of Metal-Rich Growth for GaN/AlN Superlattice Fabrication on Face-to-Face-Annealed Sputter-Deposited AlN Templates │ Physica status solidi B │ ,2300061 (共著)   5. 2023/04/08 Substrate Terrace Width Dependence of Direct Growth of GaN on ScAlMgO4 by Radio-Frequency Molecular Beam Epitaxy │ Physica status solidi B │ ,202300029-1-202300029-7頁 (共著)   全件表示（61件） 学会発表 1. 2024/03/25 MBE法を用いたファンデルワールスエピタキシーによる転写可能なInGaN成長 (2024年春季第71回応用物理学会学術講演会) 2. 2024/03/24 Nanolaminated Mist CVD High-κ AlOx/TixAl1-xOy/TiO2 films on P+-Si for TMDCs-MOSFETs (2024年春季第71回応用物理学会学術講演会) 3. 2024/03/24 ミストCVD法によるα-Ga2O3のリモートヘテロエピタキシー (2024年春季第71回応用物理学会学術講演会) 4. 2024/03/22 Performance Analysis of MoS2/WSe2 Complementary Field-Effect Transistors (2024年春季第71回応用物理学会学術講演会) 5. 2024/03/08 Growth of MoS2 on Al1-xTixOy by Chemical Vapor Deposition (第66回フラーレンナノチューブグラフェン学会総合シンポジウム(FNTG)) 全件表示（297件） 受賞学術賞 1. 2013/03 京都大学エネルギー理工学研究所 平成24年度　京都大学エネルギー理工学研究所研究奨励賞 科学研究費助成事業 1. 2021/04/01 ～ 2024/03/31 原子層モアレ超格子系におけるフォノン物性の解明と制御 │ 基盤研究(B) (キーワード：グラフェン、モアレ超格子)   2. 2018/04 ～ 2019/03 分極場による遷移金属ダイカルコゲナイドのバレー・スピン制御 │ 新学術領域研究   3. 2013/04 ～ 2015/03 単原子層物質の励起子光物性の解明とその制御 │ 基盤研究(C)   4. 2010/03 ～ 2012/03 局在光電場中の単一カーボンナノチューブ電子状態の解明とその制御 │ 若手研究(B)   競争的資金等(科研費を除く) 1. 2018/04/01 ～ 2019/03/31 窒化物半導体ナノコラムを用いた無機有機ハイブリッド構造の創製と太陽電池応用 │ 競争的資金等の外部資金による研究   2. 2017/07/01 ～ 2018/06/30 窒化物半導体ナノ構造/単層カーボンナノチューブバルクヘテロ構造太陽電池の創製 │ 競争的資金等の外部資金による研究   3. 2017/04/01 ～ 2018/03/31 原子層ヘテロ構造を用いた高効率熱電変換材料の開発 │ 競争的資金等の外部資金による研究   4. 2016/11/17 ～ 2017/11/17 原子層材料をバッファーにしたInN系窒化物半導体成長法の開発 │ 競争的資金等の外部資金による研究   共同・受託研究実績 1. 2022/10 ～ 原子層半導体のデバイス応用へ向けたリモートドーピング技術の開発 │ その他の補助金・助成金 │ 官民による若手研究者発掘支援事業（若サポ） 研究高度化推進制度 1. 2019/042020/03 研究支援制度分類：研究推進プログラム種目：科研費獲得推進型２D-３Dハイブリッド量子井戸構造の創製とその熱電物性の解明・制御 2. 2019/042020/03 研究支援制度分類：研究推進プログラム種目：科研費獲得推進型半導体のピエゾ分極を利用した原子層ファンデルワールス界面物性制御とデバイス応用 3. 2019/042020/03 研究支援制度分類：研究成果国際発信プログラム種目：-次世代光デバイス応用へ向けた2D-3Dハイブリッド量子井戸構造の創製とその光物性評価 4. 2018/042019/03 研究支援制度分類：研究推進プログラム種目：科研費獲得推進型原子層ファンデルワールスヘテロ界面における熱輸送の解明と制御 5. 2018/042019/03 研究支援制度分類：研究推進プログラム種目：科研費獲得推進型転写できる窒化物半導体を用いた無機有機ハイブリッド構造の創製と光電変換応用 全件表示（11件） 研究交流希望テーマ 1. グラフェングラフェンの応用受託研究共同研究 2. 原子層半導体デバイス原子層半導体のドーピング技術の開拓技術相談受託研究共同研究 研究者からのメッセージ 1. いつでもくつろげる空間をコロナ禍が続き大変な毎日を送っているかと思いますが、いつでも学生さんがくつろげるような研究室にしたいと思っています。興味のある人はウェストウィング2階の原子層半導体デバイス第1研究室に遊びに来てください。 ホームページ 原子層半導体デバイス研究室HP 外部研究者ID ORCID ID 0000-0002-8325-8685 © Ritsumeikan Univ. 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