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立命館大学　研究者学術情報データベース English>> TOPページ TOPページ > 出浦 桃子 （最終更新日 : 2024-02-06 10:22:49） デウラ モモコ 出浦 桃子 DEURA MOMOKO 所属 立命館グローバル・イノベーション研究機構 職名 准教授 業績 その他所属 プロフィール 学歴 職歴 委員会・協会等 所属学会 資格・免許 研究テーマ 研究概要 研究概要（関連画像） 現在の専門分野 研究 著書 論文 その他 学会発表 その他研究活動 講師・講演 受賞学術賞 科学研究費助成事業 競争的資金等(科研費を除く) 共同・受託研究実績 取得特許 研究高度化推進制度 教育 授業科目 教育活動 社会活動 社会における活動 研究交流希望テーマ その他 研究者からのメッセージ ホームページ メールアドレス 科研費研究者番号 researchmap研究者コード 外部研究者ID 学歴 1. 2008/04～2011/03 東京大学 工学系研究科 電気系工学専攻 博士課程 修了 博士(工学) 2. 2006/04～2008/03 東京大学 工学系研究科 電子工学専攻 修士課程 修了 修士(工学) 3. 2004/04～2006/03 東京大学 工学部 電子工学科 卒業 学士(工学) 4. 2002/04～2004/03 東京大学 教養学部 理科I類 職歴 1. 2022/10 立命館大学 立命館グローバル・イノベーション研究機構 准教授 2. 2022/04 ～ 2022/09 立命館大学 立命館グローバル・イノベーション研究機構 専門研究員 3. 2017/04 ～ 2022/03 東京大学 大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 助教 4. 2013/10 ～ 2017/03 東北大学 金属材料研究所 結晶欠陥物性学研究部門 助教 5. 2013/04 ～ 2013/09 東北大学 多元物質科学研究所 助教（研究特任） 全件表示（7件） 委員会・協会等 1. 2019/01 ～ 応用物理学会結晶工学分科会 幹事 2. 2018/04 ～ 2020/03 応用物理学会 機関紙『応用物理』編集委員 3. 2017/10 ～ 日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会 委員 4. 2017/04 ～ 文部科学省科学技術・学術政策研究所科学技術予測センター 科学技術専門家ネットワーク・専門調査員 5. 2016/04 ～ 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 幹事 全件表示（6件） 所属学会 1. 応用物理学会 2. 日本結晶成長学会 資格・免許 1. 2011/12 特定高圧ガス取扱主任者（特殊高圧ガス） 研究テーマ 1. 異種基板上への窒化物半導体結晶成長 現在の専門分野 薄膜、表面界面物性, 結晶工学, 電気電子材料工学 (キーワード：結晶工学，薄膜・表面界面物性，電気電子材料工学) 論文 1. 2023/09 Control of Metal-rich Growth for GaN/AlN Superlattices Fabrication on Face-to-face Annealed Sputter-deposited AlN Templates │ Physica Status Solidi B │ 260 (9),2300061 (共著)   2. 2023/07 Substrate Terrace Width Dependence of Direct Growth of GaN on ScAlMgO4 by Radio-Frequency Molecular Beam Epitaxy │ Physica Status Solidi B │ 260 (7),2300029 (共著)   3. 2023/04 Effect of layer structure of AlN interlayer on the strain in GaN layers during metal-organic vapor phase epitaxy on Si substrates │ Journal of Applied Physics │ 133 (16),165301 (共著)   4. 2023/02 Direct growth of GaN film on ScAlMgO4 substrate by radio-frequency plasma-excited molecular beam epitaxy │ Applied Physics Express │ 16 (2),025504 (共著)   5. 2022/07 Supercritical fluid deposition for conformal Cu film formation on sub-millimeter-scale structures used to fabricate terahertz waveguides │ Applied Physics Express │ 15 (7),075502 (共著)   全件表示（53件） 学会発表 1. 2023/11 RF-MBE growth and characterization of InGaN thermoelectric thin film (14th International Conference on Nitride Semiconductors) 2. 2022/10 MOVPE of GaN layer with double-layered voids on rough SiC/Si substrate formed using Si surface carbonization (International Workshop on Nitride Semiconductors 2022) 3. 2021/03 MOVPE of GaN on SiC/Si substrates formed by Si surface carbonization (The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology) 4. 2018/06 Impact of AlN interlayer growth temperature on strain of GaN layer during MOVPE on Si substrates (19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) 5. 2017/07 Mechanical properties of cubic-BN bulk single crystal evaluated by nanoindentation (12th International Conference on Nitride Semiconductors) 全件表示（19件） 講師・講演 1. 2014/09 結晶成長の基礎－気相成長を中心に－ 受賞学術賞 1. 2015 第5回女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞） 2. 2015 平成27年度日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞 3. 2014 第38回結晶成長討論会 討論会賞 4. 2008 Best Student Contribution Award 5. 2008 第24回応用物理学会講演奨励賞 全件表示（7件） 科学研究費助成事業 1. 2023/04 ～ 2026/03 半導体デバイス排熱の有効利用に向けた窒化物半導体の熱電特性解明と性能向上 │ 基盤研究(B)   2. 2019/04 ～ 2021/03 自己形成ボイドを用いた応力緩和による異種基板上への高品質結晶成長技術の実現 │ 新学術領域研究(研究領域提案型)   3. 2017/04 ～ 2019/03 自己形成ボイドを用いた応力緩和による異種基板上への高品質結晶成長技術の開発 │ 新学術領域研究(研究領域提案型)   4. 2016/04 ～ 2019/03 COガスを用いたSi表面炭化における平衡反応のメカニズム解明 │ 若手研究(B)   5. 2013/04 ～ 2016/03 mono-like Si結晶におけるシード境界からの転位発生メカニズムの解明 │ 若手研究(A)   全件表示（7件） 取得特許 1. 有機薄膜の製造方法 （特開2008-300781） 社会における活動 1. 2019/10 Personal Experience as a Young Faculty メールアドレス © Ritsumeikan Univ. All rights reserved.