エースカジノ入金方法

大学紹介 未来を創る取り組み 未来を創る取り組み 理念・歴史、伝統 立命館憲章 建学の精神 教学理念 学生育成目標 歴史 立命館スポーツ宣言 R2030中長期計画 立命館SDGs ダイバーシティ＆インクルージョン 立命館×2025年大阪・関西万博 R2020中長期計画--> 基本情報 学長 副学長 大学役員一覧 大学組織図 学年暦 情報公開 学部等の設置認可申請 設置計画履行状況等報告書 文部科学省等による各種事業採択プログラム 大学評価・IR 教員一覧 学生・教員のメディア出演情報 コンプライアンス 公費助成について 校章・コミュニケーションマーク 学園歌 立命館学園案内 キャンパス キャンパス計画 衣笠キャンパス びわこ・くさつキャンパス 大阪いばらきキャンパス 朱雀キャンパス 東京キャンパス 大阪梅田キャンパス 教育 学びの立命館モデル 学びの立命館モデル 学部ナビ --> 奨学金制度（学部） 奨学金制度（大学院） 海外留学 他学部受講 各機構・センター 他大学での学び 科目等履修・聴講制度 公開講座・語学学習・資格取得講座 一貫教育について 学部 法学部 産業社会学部 国際関係学部 文学部 映像学部 経済学部 スポーツ健康科学部 食マネジメント学部 理工学部 情報理工学部 生命科学部 薬学部 経営学部 政策科学部 総合心理学部 グローバル教養学部 大学院（衣笠、BKC） 法学研究科 社会学研究科 国際関係研究科 文学研究科 言語教育情報研究科 先端総合学術研究科 経済学研究科 スポーツ健康科学研究科 食マネジメント研究科 理工学研究科 生命科学研究科 薬学研究科 大学院（OIC、朱雀） 経営学研究科 政策科学研究科 情報理工学研究科 映像研究科 人間科学研究科 テクノロジー・マネジメント研究科 専門職大学院 経営管理研究科（ビジネススクール） 法務研究科（法科大学院） 教職研究科（教職大学院） シラバス 図書館 ぴあら 教員一覧 研究・産学官連携 私立大学研究ブランディング事業 研究最前線 私立大学研究ブランディング事業 研究活動報（RADIANT） 大型研究プロジェクト 研究者学術情報データベース 研究シーズ 研究機構・研究所・研究センター 研究コンソーシアム 本学の研究活動 国際産学連携活動 施設紹介 大学発ベンチャー パンフレット一覧 データでみる研究成果 産学官連携／産学官連携をお考えの皆様へ 研究シーズ リサーチオフィス／問い合わせ先 産学官連携戦略本部の概要 産学官連携の申請方法 研究の取り組み 研究ビジョン 研究倫理 適正執行 知的財産 Ri-Search（若手研究者学術・キャリア情報検索システム） 　 産学連携をお考えの皆さまへ 学内研究支援情報（研究部） 男女共同参画推進／リサーチライフサポート室 国際展開・留学 Global Initiative 核となるグローバルな取り組み Global Initiative スーパーグローバル大学創成支援事業 世界大学ランキング 国際展開について 国際連携 国際協力・貢献 世界展開力強化事業・キャリアプログラム 海外拠点 海外留学・日本への留学 海外留学について 日本への留学について 海外協定校一覧 立命館大学国際化の歩み 国際教育推進機構教員 Beyond Borders Plaza（BBP） 立命館孔子学院 学生生活・就職 学生スポーツ＆カルチャー 奨学金制度 奨学金制度（学部生対象） 奨学金制度（大学院生対象） 進路・就職支援 グローバル視点で学ぶ 海外留学 言語教育センター（正課） 言語習得センター（正課外） Beyond Borders Plaza（BBP） 立命館孔子学院 社会との関係を深める 進路・就職支援 ボランティアをする 資格を取る 交流・活動する サークル・課外活動 学生スポーツ＆カルチャー アスリートの支援 学生どうしによるピア・サポート Ritsumeikan Cyber-Campus（βversion） 学生関連施設 セミナーハウス・体育館・学生会館 キャンパスの情報化 安心・安全な学生生活を送る 奨学金制度 学生相談の総合案内 Student Success Program(SSP) 学生サポートルーム 保健センター 障害学生支援室 特別ニーズ学生支援 --> ハラスメントの相談 キャンパス全面禁煙化 社会・地域連携 社会・地域連携方針について 社会・地域連携方針について 災害復興支援について 社会・地域連携の取り組み 京都 滋賀 大阪 その他 科目等履修・聴講制度 科目等履修・聴講制度 「文化遺産防災学　教育プログラム」科目等履修 公開講座・生涯学習 立命館土曜講座 立命館びわこ講座 立命館大学大阪いばらきキャンパス（OIC）講座 大阪梅田キャンパス公開講座 東京キャンパス公開講座 立命館西園寺塾 立命館孔子学院講座 言語習得センター 立命館アカデミックセンター 立命館大学 MOOC（オンライン公開講座） 漢字教育士　資格認定WEB講座 立命館大学司法面接研修 大学施設の利用について 図書館 国際平和ミュージアム 衣笠キャンパス施設利用について びわこ・くさつキャンパス施設利用について 大阪いばらきキャンパス施設利用について 大阪いばらきキャンパス施設利用について（立命館いばらきフューチャープラザ） キャンパス見学について キャンパス見学について（高校・保護者の方） キャンパス見学について（小学校・中学校・その他一般の方） 学生との地域交流のご案内 高大連携について 産学官連携について ボランティア・サービスラーニングについて 立命館学園 立命館アジア太平洋大学 立命館中学校・高等学校 立命館宇治中学校・高等学校 立命館慶祥中学校・高等学校 立命館守山中学校・高等学校 立命館小学校 立命館の一貫教育 情報公開 採用情報 学校法人立命館 アクセス キャンパスマップ お問い合わせ Japanese ENGLISH CHINESE 立命館大学サイト内検索フォーム 小 中 大 CLOSE 受験生の方 在学生の方 保護者の方 卒業生の方 一般・企業の方 報道・メディア関係の方 ご支援をお考えの方 NEWS & TOPICS 【世界初】放熱性に優れたSiC上への新パワー半導体r-GeO₂薄膜の結晶成長に成功 ― 新しい結晶成長手法 Phantom SVD (ファントム局所的気相成長) 法によりr-GeO₂パワーデバイス実現へ大きく前進 ― 2023.09.26 NEWS 【世界初】放熱性に優れたSiC上への新パワー半導体r-GeO₂薄膜の結晶成長に成功 ― 新しい結晶成長手法 Phantom SVD (ファントム局所的気相成長) 法によりr-GeO₂パワーデバイス実現へ大きく前進 ― 研究 産学官連携 びわこ・くさつキャンパス SDGs 　総合科学技術研究機構の金子健太郎研究室（金子健太郎 教授/RARA フェロー）とPatentix株式会社（所在地：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐）は、共同で、次世代半導体材料として注目される「ルチル構造二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）」をPhantomSVD（ファントム局所的気相成長）法によって、SiC上に製膜することに世界で初めて成功しました。 　Patentix株式会社は、2022年12月に創業した立命館大学発の半導体ディープテックベンチャーです。共同創業者でありCTOを務める金子教授/RARAフェローが開発した新しいパワー半導体材料であるr-GeO2の半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めています。　この成果は、2023年9月18日～21日にポーランドのワルシャワで開催されている、ヨーロッパ最大の材料学会である「European Materials Research Society （E-MRS）」のFall Meetingで理工学研究科の清水悠吏（Patentix株式会社取締役兼務）により発表され、酸化物半導体パワーデバイスの開発で問題になっていた、基板の低い熱伝導率という課題に対して放熱性に優れたSiCを用いることで解決できる可能性を示す大きな成果となりました。また、金子教授/RARAフェローは招待講演者としてr-GeO2研究のこれまでの成果と今後の展望について講演を行いました。 1.概要 　ルチル構造二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）は、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）と比べてさらに大きなバンドギャップをもつため、r-GeO2 によるトランジスタやダイオードは高耐圧、高出力、高効率（低損失）という優れたパワーデバイス特性を備える事が期待されています。r-GeO2 パワーデバイスの開発は日本が世界をリードしており、Patentix株式会社では2022年12月会社設立以降、r-GeO2 エピウエハの研究開発を進めております。 　また、Patentix株式会社では、独自に開発したPhantomSVD（ファントム局所的気相成長）法を用いて製膜しており、PhantomSVD は、安全安価な原料を用いることができコストパフォーマンスに優れています。また、従来の霧（ミスト）状にした溶液を用いるCVD法とは異なる原理で結晶成長が可能であり、より安全・安心な薄膜合成が可能となります。 2.今回の成果及び今後の予定 　立命館大学およびPatentix株式会社は、共同で、次世代半導体材料として注目される「ルチル構造二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）」をPhantom SVD（ファントム局所的気相成長）法によって、SiC上に製膜することに世界で初めて成功しました。この成果は、2023年9月18日～21日にポーランドのワルシャワで開催されている、ヨーロッパ最大の材料学会である「European Materials Research Society （E-MRS）」のFall Meeting で理工学研究科の清水悠吏（Patentix株式会社取締役兼務）により発表され、酸化物半導体パワーデバイスの開発で問題になっていた、基板の低い熱伝導率という課題に対して放熱性に優れたSiCを用いることで解決できる可能性を示す大きな成果となりました。今後は、r-GeO2 薄膜の電気特性評価や膜中に存在する欠陥評価等を行い、高品質なr-GeO2 エピ製膜技術の開発を進めてまいります。 写真の説明：Si(111)/3C-SiC(111)上に成長したルチル構造r-GeO2 の写真。左端の未成長部は膜厚測定のためにマスキングした跡。 構造の説明：Si(111)基板上に製膜した配向3C-SiC 薄膜の上にr-GeO2 の製膜を行った。 関連情報 金子 健太郎 教授 研究者学術情報データベース 金子 健太郎 教授 RARAフェロー紹介ページ Patentix株式会社 ホームページ 関連記事 【shiRUto】野球の送球イップス症状を抱える方の3つの… 2024.04.30 西日本高速道路株式会社（NEXCO西日本）と包括的連携・協… 2024.04.24 【shiRUto】国内最大級の木造学舎「グリーンコモンズ」… 2024.04.15 NEXT 2023.09.25 TOPICS 地域の小水力発電所をよみがえらせる 研究 社会・地域連携 SDGs 衣笠キャンパス びわこ・くさつキャンパス 大阪いばらきキャンパス 講演会 シンポジウム 講義・講座・セミナー 2024 1月 2月 3月 4月 5月 2023 1月 2月 3月 4月 5月 6月 7月 8月 9月 10月 11月 12月 2022 1月 2月 3月 4月 5月 6月 7月 8月 9月 10月 11月 12月 2021 1月 2月 3月 4月 5月 6月 7月 8月 9月 10月 11月 12月 2020 1月 2月 3月 4月 5月 6月 7月 8月 9月 10月 11月 12月 2019 1月 2月 3月 4月 5月 6月 7月 8月 9月 10月 11月 12月 2018 1月 2月 3月 4月 5月 6月 7月 8月 9月 10月 11月 12月 2017 1月 2月 3月 4月 5月 6月 7月 8月 9月 10月 11月 12月 2016 1月 2月 3月 4月 5月 6月 7月 8月 9月 10月 11月 12月 2015 2月 4月 5月 6月 7月 8月 9月 10月 11月 12月 受験生の方 在学生の方 保護者の方 卒業生の方 一般・企業の方 報道・メディア関係の方 ご支援をお考えの方 教職員ポータル / Faculty & Staff Portal System 立命館大学入試情報サイト 研究者データベース アクセス キャンパスマップ 採用情報 音声読み上げ等支援ツール お問い合わせ ENGLISH CHINESE サイトマップ 立命館大学サイト内検索フォーム このサイトについて プライバシーポリシー 関連リンク © Ritsumeikan Univ. All rights reserved.